三星20nm 4Gb DDR3内存年内上市 让电池更耐用

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       三星昨日宣布，采用20纳米工艺的4GB(512MB)DDR3 DRAM内存颗粒已经大量投产。这一“业界领先”的内存将于年底上市，普遍适用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等移动电子产品。据了解，采用这种全新内存颗粒可以使电池的续航时间边长。

 

　　三星的新闻稿中，对20纳米内存迅速成为市场主流信心十足。20纳米工艺的内存比现在25纳米工艺的产品节电25%，而且三星更改了生产工艺，现在产能更是比上一代增加了30%。

 

　　新闻稿也具体描述了生产采用的先进技术(双重曝光、原子层沉积ALD，沉浸式ArF光刻等)，并表示已经开始研发10纳米工艺，为下一代DDR4做准备。

 

　　其实“20纳米内存”是一个比较专业的说法，可能网友对这种说法的概念比较模糊，但你应该记得几年前在超频和节能方面让大家趋之若鹜的三星黑武士内存。而那只是一款30纳米内存颗粒，就能获得如此口碑，可以想象20纳米内存将会有什么样的效果。期待早日体验。